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MWI75-12T8T
 Inverter  D1 - D6
I F
[A]
200
150
100
24
20
Q rr 16
[μC] 12
T VJ = 125°C
V R = 600 V
200 A
100 A
50
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
8
50 A
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
160
V F [V]
Fig. 7 Typ. Forward current versus V F
700
di F /dt [A/μs]
Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Q rr vs. di/dt
140
T VJ = 125°C
V R = 600 V
200 A
600
T VJ = 125°C
V R = 600 V
I RR
[A]
120
100
80
100 A
50 A
500
t rr 400
[ns] 300
200
200 A
100 A
50 A
60
100
40
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
8
di F /dt [A/μs]
Fig. 9 Typ. peak reverse current I RM vs. di/dt
1
di F /dt [A/μs]
Fig. 10 Typ. recovery time t rr versus di/dt
6
T VJ = 125°C
V R = 600 V
200 A
Diode
IGBT
E rec
[mJ]
4
100 A
50 A
Z thJC 0.1
[K/W]
2
0
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
di F /dt [A/μs]
Fig. 11 Typ. recovery energy E rec versus di/dt
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
t p [s]
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
20100910c
6-7
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